昨日晚间,据微博爆料者17btx.cn透露,三星S8或将首发三星10nm 8GB内存和UFS2.1存储,这意味着相比上一代S7系列,Galaxy S8内存翻倍而且速度更快。不过从网友的反映来看,有不少人都认为8GB内存对手机而言有些太过剩了,而且还会导致电量紧张。 三星的新旗舰GalaxyS8手机近期传闻不断,比如最近的传闻称三星或将推迟至明4月份发布S8。另外就配置方面而言,据悉三星,明年将会推出Galaxy S8和GalaxyS8Plus两个版本,现在据最新爆料,三星还将位置配备更大的更快的内存和存储。 另外,Galaxy S8还将采用UFS 2.1闪存芯片。之前有传言称Galaxy S8配置6GB运行内存和高达256GB的存储空间。Galaxy Note7电池“爆炸门”后,据称三星在开发一款高配版Galaxy S8,让用户忘记Note7。另有传言称,三星可能发布配置6英寸显示屏的Galaxy S8 Plus,用以取代Galaxy Note8。不同于标准版本的是,Galaxy S8 Plus后置相机可能采用双镜头设计。 值得一提的是,早前的传闻称S8将会提供6GB内存和最大256GB机身存储,另外高通已经公布了新一代旗舰处理器骁龙835,预计三星S8也将会采用这款基于10nm工艺的处理器,和三星同样工艺的Exynos 8895。 其它方面,据传GalaxyS8和S8Plus均为曲面屏设计,不过前者为5.1英寸,Plus版为6英寸,且配备了双后摄。此外近期还有消息称三星将为S8系列内置自家的AI助理,预装基于Android 7.0 Nougat的Samsung Experience系统。 Galaxy S8将配置5.1英寸显示屏,绝大多数设备将配置Exynos 8895芯片。但在美国和中国销售的Galaxy S8或将配置高通最新的骁龙835芯片。Galaxy S8还将预装Android 7.0和Samsung Experience用户界面。虽然三星可能希望在Galaxy S8中预装自家语音助手,但有传言称谷歌在与三星洽谈,使Google Assistant成为这款手机上唯一一款语音助手 搜索 复制 |
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